Μετασχηματιστής παλμού υψηλής συχνότητας με γρήγορη παράδοση πύλης με τριπλή απομονωμένη έξοδο και εξαιρετικά χαμηλή χωρητικότητα ζεύξης

Γρήγορη παράδοση OEM Gate Drive υψηλής συχνότητας μετασχηματιστή παλμού 1:1:1

ΒελτιστοποιήστεΣυστήματα οδήγησης πύλης IGBT και MOSFETμε τους υψηλής ταχύτητας μετασχηματιστές παλμού μας που διαθέτουνταχύτερη παράδοση στον κλάδο- Στήριγμα 1:1Οι μετασχηματιστές με τριπλή έξοδο θύρας αποστέλλονται από το απόθεμα μέσα σε 3-5 εργάσιμες ημέρες.καμία ελάχιστη ποσότητα παραγγελίαςγια τεχνικά δείγματα.

Βασικά χαρακτηριστικά

• Τριπλές απομονωμένες εξόδους:1:1Η αναλογία στροφών 1: 1 παρέχει τρία γαλβανικά απομονωμένα σήματα κίνησης πύλης από ένα ενιαίο πρωτεύον, ιδανικό για τοπολογίες μετατροπέων γέφυρας (μισή γέφυρα, πλήρης γέφυρα, 3 φάσεις).
• Ηγετική παράδοση στον κλάδο:Τα σχέδια αποθέματος αποστέλλονται σε 3-5 ημέρες. Οι προσαρμοσμένες παραλλαγές παραδίδονται σε 7 εργάσιμες ημέρες.
• Υπερ-χαμηλή χωρητικότητα ζεύξης:Κάτω από 15pF πρωτογενής προς δευτερογενή, ελαχιστοποιώντας την ένεση ρεύματος κοινής λειτουργίας και αποτρέποντας την εσφαλμένη ανάφλεξη των διακόπτες ισχύος σε περιβάλλοντα υψηλών dV/dt.
• Ευρύ εύρος ζώνης:Απάντηση επίπεδης συχνότητας από 10kHz έως 500kHz, αναπαράγοντας πιστά τους παλμούς κίνησης πύλης με ελάχιστη στρέβλωση για καθαρή, αξιόπιστη αλλαγή.
• Δεν υπάρχει MOQ για την κατασκευή πρωτοτύπων:Παραγγελία από μόνο 1 κομμάτι για αξιολόγηση ️ επικύρωση του σχεδίου κίνησης πύλης σας πριν δεσμευτείτε για όγκους παραγωγής.

Εφαρμογές

• Συστήματα IGBT Gate Driver (Μέση γέφυρα/Πλήρη γέφυρα)
• Απομόνωση οδηγού MOSFET (σύγχρονη διόρθωση)
• Συστήματα κίνησης πύλης SiC/GaN
• Προμήθειες θύρας μετατροπέα κινητήρα
• Συστήματα ελέγχου μετατροπών συγκόλλησης
• Στάδια ισχύος θέρμανσης με επαγωγή
• Μετατροπείς αδιάλειπτης τροφοδοσίας (UPS)

Πρόγραμμα αποθεμάτων

Λαϊκές διαμορφώσεις (1:1, 1:1:1, 2:1Οι αποθεματικοί αποθέματα διατηρούνται σε αποθεματικό για άμεση αποστολή.Επικοινωνήστε μαζί μας με την απαιτούμενη αναλογία στροφών και το μέγεθος του πυρήνα για έλεγχο διαθεσιμότητας αποθέματος.